Eu, o Bossman e o Matec, andamos assistindo alguns vídeos sobre identificação de falsificados e uma nova abordagem foi trazida à tona. Não costumamos medir a capacitância das junções PN nos componentes, mas talvez esse procedimento possa dar uma dica a respeito do componente suspeito. A tese é de que quanto maior a junção (e portanto a pastilha), maior deve ser a capacitância na junção.
Mas quanto seria um valor típico para cada componente ? Essa informação nem sempre está na datasheet. Mas eu olhei nos parâmetros de modelos SPICE e achei para alguns. Por exemplo para o diodo 1N4007, a capacitância na junção definida para o modelo é 10 pF (CJO = 1e-11), conforme abaixo:
.model 1N4007 D(IS=7.02767n RS=0.0341512 N=1.80803 EG=1.05743 XTI=5 BV=1000 IBV=5e-08 CJO=1e-11 VJ=0.7 M=0.5 FC=0.5 TT=1e-07 mfg=OnSemi type=silicon)
Medi um diodo 1N4007 e encontrei isso:
A medição parece coerente com o adotado para o modelo de simulação do diodo.
Agora um diodo 1N5406, com uma junção maior (não achei os parâmetros SPICE):
O modelo SPICE para o transistor 2N3055, eu achei 3:
.model 2N3055 NPN(Bf=73 Br=2.66 Rb=.81 Rc=.0856 Re=.000856 CJC=1000P PC=.75 MC=.33 Tr=.5703U Is=2.37E-8
CJE=415P PE=.75 ME=.5 TF=99.52N NE=1.26 IK=1 Vceo=60 Icrating=10 mfg=STMicro) capacitância junção BE de 415 pF
.MODEL 2N3055H NPN(IS=2.37426e-14 BF=129.119 NF=0.85 VAF=31.1252 IKF=0.990922 ISE=2.47498e-10 NE=1.89002 BR=1.01252 NR=0.924456 VAR=254.624 IKR=2.70227 ISC=2.47498e-10 NC=2.90624 RB=3.66609 IRB=0.1 RBM=0.1 RE=0.000352673 RC=0.0764459 XTB=1.34801 XTI=1.07207 EG=1.206
CJE=9.03089e-08 VJE=0.513954 MJE=0.59999 TF=1e-08 XTF=1.36696 VTF=1.02605 ITF=0.987296 CJC=5e-10 VJC=0.400243 MJC=0.410238 XCJC=0.803124 FC=0.661216 TR=1e-07 VCEO=60 ICRATING=15 MFG=Motorola) capacitância junção BE de 90.3 nF
*2N3055
*Si 115W 70V 15A 20kHz pkg:TO-3 3,2,1
.MODEL Q2N3055 NPN(IS=4.66E-12 BF=360 VAF=100 IKF=0.25 ISE=3.339E-11
+ BR=2 ISC=5E-9 RB=3 IRB=0.001 RBM=0.4 RC=0.04
CJE=5.802E-10 VJE=1.2
+ MJE=0.45 TF=8E-8 XTF=1 ITF=3 PTF=120 CJC=2.121E-10 MJC=0.4 TR=2.55E-6
+ XTB=1 ) capacitância junção BE de 580 pF
Eu medi a junção BE alguns 2N3055 que tenho:
O da RCA, é legítimo (embora não do modelo H - homotaxial descrito nos parâmetros que eu achei), o Toshiba é certamente falsificado e o ST eu fico na dúvida. O que fica demonstrado é que a capacitância na junção diminui nos falsificados.
O Matec chegou a medir alguns 2SA1943 e 2SC5200 genuínos dele e os valores estão compatíveis com os parâmetros do SPICE, quem sabe ele poste as fotos das medições dele.
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