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Autor Tópico: Teste de FET e MOSFET  (Lida 5601 vezes)
erick rodrigues
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« : 16 de Outubro de 2014, as 16:51:31 »

Bem me deparei com um problema básico e comum por aí, comprei alguns 2n7000 e J201 pela internet só que alguns estão  com defeito (coloquei soquete no projeto e testei eles) Daí pergunto a vocês,como testar esse componentes com multímetro analógico antes de por para funcionar? Vi vários tutoriais pra isso só que todos explicavam de maneiras diferentes.

Grato pela atenção.
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« Responder #1 : 16 de Outubro de 2014, as 18:33:18 »

Vou transcrever o procedimento para teste de JFET do curso de instrumentação e multímetros do Newton C. Braga.

Prova de FETs de junção

Tipo de prova
- De continuidade do canal
- De condução da junção para FETs de canal N ou P

Esta prova é para transistores de efeito de campo de junção de canal P ou N como o MPF102, 2N3819 ou BF245 e serve para determinar o estado geral do componente.

Procedimento:
a) Coloque o multímetro na escala mais baixa de resistências: ohms x1 ou ohms x10, se for o analógico. Para os digitais, as escalas são de 200 ou 2000 ohms.
b) Zere o multímetro se for analógico.
c) Identifique os terminais do FET e faça as seguintes medidas:
- resistência direta e inversa entre os terminais dreno (d) e fonte (s)
- resistência direta e inversa entre a comporta (g) e o dreno (d).

Interpretação:
- resistência direta e inversa entre dreno e fonte da mesma ordem, em torno de 200 ohms para o MPF102, e com valores próximos para os outros tipos - o canal apresenta continuidade.
- resistência direta baixa, da ordem de 60 ohms ou menos e infinita ou muito alta na resistência inversa entre comporta (g) e dreno (d) - o FET está com sua junção gate/substrato em ordem.

Obs. os valores indicados são para o MPF102
Medidas de valores diferentes indicam um transistor em más condições como, por exemplo:
- resistência alta nas medidas de resistência entre o dreno e a fonte ou mesmo infinita indicam um transistor aberto.
- resistência muito baixa ou nula nas medidas de resistência entre a comporta e o dreno indicam um transistor em curto.

Com essas provas podemos determinar também se o transistor é canal N ou P. Para isso, temos:
a) resistência baixa com a ponta vermelha na comporta (g)  e preta no dreno (d) - o transistor é de canal N
b) resistência alta com a ponta vermelha na comporta (g) e a preta no dreno (d) - o transistor é de canal P

Ponta vermelha no borne positivo do multímetro = pólo positivo da bateria interna.

Não tinha procedimento para testar MOSFETs.
« Última modificação: 01 de Agosto de 2017, as 12:03:04 por xformer » Registrado

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« Responder #2 : 16 de Outubro de 2014, as 21:02:53 »

 Acho que testar um MOSFET é mais simples que um JFET, basta um resistor de carga, uma fonte de tensão constante e um trimpot.

 Monta-se um amplificador de fonte comum (source conectado ao terra) e o resistor conectado à fonte de tensão. O trimpot é conectado ao Vcc e o terra, com seus cursor variando a tensão do gate Vgs.

 Com isso, é só observar se os parâmetros estáticos corresponde às curvas contidas no datasheet.

 Por exemplo, para o 2n7000, com um Vgs de 5v, deve-se esperar para um Vds de 1v uma corrente de 0,5A.

 Ao fazer estes testes, cuidado com a dissipação de potência nos componentes.

 Se você variar o Vgs, com certeza a curva será modificada, mas ao medir os parâmetros, se ele estiver bom, estará dentro do esperado.

 Um abraço!

 Eduardo
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« Responder #3 : 17 de Outubro de 2014, as 12:38:41 »

Muito obrigado pelas respostas, confirmei mesmo que os Fets estavam com defeito , agora ficarei mais atento em testar todos os componentes antes de usa-los evitando assim dores de cabeça.
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« Responder #4 : 17 de Outubro de 2014, as 22:10:15 »

Até poucos anos atrás isso não acontecia.
Agora, com a invasão chinesa, ou compra-se numa loja de ponta (confiável) por um preço mais caro ou então se compra dez produtos para se salvar uns poucos que sejam funcionais.
Infelizmente, essa é a realidade do mercado atual de componentes eletrônicos.
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« Responder #5 : 18 de Outubro de 2014, as 21:08:49 »

Até poucos anos atrás isso não acontecia.
Pois é Erick.  Achar um JFET queimado é dificil.  Imagino que para fazer isso só mesmo se passar da tensão máxima, ou outro acidente meio feio.  Se te venderam algum estragado, é a mais pura picaretagem.

Eu testo o JFET para ser um diodo entre o dreno(drain) e a porta (gate) OU entre a fonte(source) e a porta (gate).  Entre o dreno e a fonte é como se fosse um resistor, se a corrente for baixa, tipo de multímetro para medir resistência.

Agora para saber se o JFET está funcionando, e de quebra obter as características dele, faça o seguinte:

Ensaio 1)
Ligue o terminal dreno(drain) ao + do Vcc(tipo 9V); ligue um resistor de 1M ou terminal de fonte(source); ligue a porta(gate) e o outro terminal do resistor de 1M ao GND da fonte; meça a tensão nos terminais do resistor de 1M.

A tensão medida  será aproximadamente igual à VGSoff

Ensaio 2)
Ligue o terminal dreno (drain) ao +Vcc (tipo 9V); ligue o terminal de fonte(source) ao terminal de porta(gate) e a um resistor de 100Ω; ligue o outro terminal do resistor ao GND da fonte; meça a tensão no resistor.

Idss é aproximadamente = (tensão no resistor)/100Ω.

Com VGSoff e Idss se pode calcular polarização e ganho aproximados de um circuito com JFET.  Se os valores de IDss e VGSoff estiverem dentro da faixa que está no datasheet, é porque o componente funciona.

datasheet dos componentes se encontra em: http://www.datasheetcatalog.com/

Abraços
« Última modificação: 18 de Outubro de 2014, as 21:10:47 por Patines » Registrado
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« Responder #6 : 19 de Outubro de 2014, as 11:38:30 »

Um detalhe que pode explicar a quantidade de componentes estragados é que os MOSFETs (no caso o 2N7000) são componentes ESD (dispositivos sensíveis a eletricidade estática) e com o tempo muito seco em algumas regiões do país, faz com que a umidade relativa do ar fique muito baixa o que ajuda a desenvolver a eletricidade estática nos nossos corpos. Muita pouca gente toma as precauções para manipular esses componentes e pode acabar os  danificando sem saber. Assim como muitos cis também podem ser estragados dessa forma. JFETs e bipolares são menos sensíveis, mas melhor não arriscar.

Eu costumo comprar muitos MOSFETs e os vendedores os manipulam sem qualquer cuidado e os põem em embalagens comuns (somente na Farnell é que eu comprei 2N7000 que  vieram em saquinhos plásticos anti estática - aqueles meio metalizados). Na verdade é melhor nem mexer com circuitos eletrônicos com o ar muito seco ou dentro de ambiente com ar condicionado (nesses dias quentes ...). 

Aqui em casa (SP) levei um baita choque outro dia, apenas por encostar o dedo no parafuso do espelho do interruptor de luz, por causa da eletricidade estática devido ao ar seco.

Outro problema é que estão falsificando também os MOSFETs:
http://www.py2bbs.qsl.br/transistores-falsos.php

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« Responder #7 : 19 de Outubro de 2014, as 18:59:16 »

Para testar  Mosfet tipo o 2N7000:

Ligue o terminal dreno(drain) ao +Vcc(tipo 9V); no terminal de porta(gate), ligue um divisor resistivo de Vcc/2(dois resistores de 1M, Vcc/2=4,5V); ligue um resistor de 68Ω ao terminal de fonte(source); o outro terminal do resistor ligue ao GND.

Se medir no resistor de 68Ω uma tensão em torno de 7,5V 1,5V, é porque o 2N7000 funciona.

Abraços, Saúde e amor!
« Última modificação: 30 de Outubro de 2014, as 20:49:55 por Patines » Registrado
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