Saudações,

O que faz uns FETs serem mais adequados que os outros nesse tipo de circuito?

Abraço

Creio que a sensibilidade do acionamento e a transmissão das correntes.

O que faz uns FETs serem mais adequados que os outros nesse tipo de circuito?

A diferença entre BF245A e BF245C é entre outras coisas, o valor de VGS para IDss de 200UA:
BF245A entre -0.4 e -2,2V
BF245C entre -3,2V e -7,5V

Acontece que se algum o BF245C que tu usar tiver VGS= 7,5V, é muito dificil que o circuito controlador consiga fornecer esta tensão, pois esta tensão é maior que o range do amplificador operacional alimentado por 9V.  Já com o BF245A podemos conseguir.

Quanto a diferenças timbrísticas delicadas, estou no grupo dos que não conseguem distinguir.

T+

Sempre me questionei se as fábricas perderiam o tempo delas casando transistores na hora da montagem...
A.Sim, essas "resistências variáveis" podem ser maiores ou menores dependendo do FET ou isso é determinado pelo processo de fabricação deles (isto é, pela variação que apresentam entre si)?

Os fabricantes testam TODOS os componentes, pelo menos duas vezes, durante o processo de fabricação. Um dos testes é feito logo antes de serrar o wafer ( assim, o fabricante não precisa encapsular os transistores defeituosos ) e um teste final é feito após o encapsulamento.

Quanto à dispersão de parâmetros em semicondutores, é necessário uma aulinha de Processo Microeletrônico...e um pouco de história.

Nos idos tempos passados, os transistores eram feitos por difusão. Em palavras simples, o wafer era posto num forno e um gás ou vapor, contendo o dopante, era admitido no interior do forno. Com o tempo e a temperatura, o wafer ficava dopado, formando as regiões P ou N. Com os sucessivos mascaramentos e difusões, criava-se os transistores individuais ou mesmo os CIs.

O problema é que, devido à forma como os wafers são colocados dentro do forno, a borda do wafer recebe uma quantidade diferente de dopante em relação ao centro. Isso faz com que os transistores existentes em um mesmo wafer tenham uma dispersão considerável em seus parâmetros.

A partir de 1990 passou-se a usar implantação iônica para realizar a dopagem das regiões de dreno e fonte dos transistores ( base e emissor também; o coletor é feito por epitaxia - ver http://class.ece.iastate.edu/ee434/05lectures/EE%20434%20BJT%20Process.ppt ). Com esse processo, consegue-se uma melhor homogeneidade do dopante por sobre todo o wafer, o que faz com que a dispersão de parâmetros entre os transistores de um mesmo wafer seja bem menor. Paralelamente a isso, a resolução da fotolitografia foi melhorada muitas vezes ( fabrica-se transistores com 32 nm de canal ).

Antigamente, o fabricante fazia um wafer de BF245 e, depois, selecionava em categorias A, B e C conforme o Idss. Hoje, é possível fazer um wafer só de BF245C e, apenas, descartar aqueles que não atingem os parâmetros desejados. A mesma coisa vale para os famosos BC548, que têm ganho entre "100 e 800"...